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Nd1.85Ce0.15 CuO4-δ单晶c-轴方向电阻的低场行为
引用本文:李配军,王智河,白忠,聂阳,邱里,徐小农. Nd1.85Ce0.15 CuO4-δ单晶c-轴方向电阻的低场行为[J]. 物理学报, 2006, 55(6)
作者姓名:李配军  王智河  白忠  聂阳  邱里  徐小农
基金项目:中国科学院资助项目;南京大学校科研和教改项目
摘    要:
采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1.85Ce0.15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0-0.5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0.5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系.0.5T不同角度下的转变温度Tp符合有效质量模型,即Tp∝H1/12(cos2θ+sin2θ/γ2)1/4.该单晶的各向异性因子γ约为45.

关 键 词:Nd1.85Ce0.15CuO4-δ单晶  输运性质

Resistivity of Nd1.85Ce0.15CuO4- δ single crystal along c-axis in lower field
Li Pei-Jun,Wang Zhi-He,Bai Zhong,Nie Yang,Qiu Li,Xu Xiao-Nong. Resistivity of Nd1.85Ce0.15CuO4- δ single crystal along c-axis in lower field[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(6)
Authors:Li Pei-Jun  Wang Zhi-He  Bai Zhong  Nie Yang  Qiu Li  Xu Xiao-Nong
Abstract:
Keywords:
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