| BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究 |
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| 引用本文： | 张廷庆,刘家璐,李建军,王剑屏,张正选,徐娜军,赵元富,胡浴红.BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究[J].物理学报,1999(12). |
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| 作者姓名： | 张廷庆 刘家璐 李建军 王剑屏 张正选 徐娜军 赵元富 胡浴红 |
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| 摘 要： | 系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明，ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用，ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ，分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ 的主要原因
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