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| 界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响 | |
| 作者姓名： | 汤晓燕 张义门 张玉明 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071 |
| 基金项目： | 国防科技预研基金项目 (批准号 :OOJ11 2 1 DZ0 1)~~ |
| 摘 要： | 针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化,分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨导的影响.结果显示界面态密度的不均匀分布不仅使阈值电压增大,而且还会导致器件跨导变低,它是影响SiCMOSFET特性的一个重要因素
关键词：
碳化硅 界面态 阈值电压 跨导 |
| 关 键 词： | 碳化硅 界面态 阈值电压 跨导 |
| 收稿时间： | 2001-06-28 |
| 修稿时间： | 2001-06-28 |
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