| 浮栅ROM器件的辐射效应实验研究 |
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| 引用本文： | 贺朝会,耿斌,杨海亮,陈晓华,王燕萍,李国政. 浮栅ROM器件的辐射效应实验研究[J]. 物理学报, 2003, 52(1): 180-187 |
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| 作者姓名： | 贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 王燕萍 李国政 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,710024 |
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| 摘 要： | 浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明，其31.9MeV质子和14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应，而是一种总剂量效应。浮栅ROM器件的^60Coγ辐照实验验证了这一点，器件出现错误有个注量或剂量阈值。动态监测和静态加电的器件都出现数据错误，且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高注量的质子或中子或更高剂量的γ辐照下未出现错误，器件刚开始出错时，错误数及错误地址都是不确定的。
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| 关 键 词： | 浮栅ROM器件 辐射效应 实验研究 单粒子效应 总剂量效应 只读存储器 |
| 修稿时间： | 2002-03-31 |
Experimental study on irradiation effects in floating gate ROMs |
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| He Chao Hui Geng Bin Yang Hai Liang Chen Xiao Hua Wang Yan Ping Li Guo Zheng. Experimental study on irradiation effects in floating gate ROMs[J]. Acta Physica Sinica, 2003, 52(1): 180-187 |
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| Authors: | He Chao Hui Geng Bin Yang Hai Liang Chen Xiao Hua Wang Yan Ping Li Guo Zheng |
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