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单一杂质半导体费米能级的普适公式
引用本文:周亚训.单一杂质半导体费米能级的普适公式[J].大学物理,1999,18(10):10-11.
作者姓名:周亚训
作者单位:宁波大学电信系,浙江,宁波,315211
摘    要:利用电中性条件,导出了掺单一杂质半导体费米能级的谱适公式,在具体应用时可作相应简化。

关 键 词:杂质  费米能级  电中性条件
修稿时间::1998年10月27日

A GENERAL FORMULA OF FERMI ENERGY IN ONE-DOPED SEMICONDUCTOR
Zhou Yaxun.A GENERAL FORMULA OF FERMI ENERGY IN ONE-DOPED SEMICONDUCTOR[J].College Physics,1999,18(10):10-11.
Authors:Zhou Yaxun
Abstract:According to the condition of electroneutrality, a general formula of Fermi energy in one-doped semiconductor is deduced. The formula can be easily simplified when applied.
Keywords:impurity  Fermi energy  electroneutrality condition  
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