| CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理 |
| |
| 引用本文： | 唐斌,邓宏,税正伟,陈金菊,韦敏. CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(2): 293-296 |
| |
| 作者姓名： | 唐斌 邓宏 税正伟 陈金菊 韦敏 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;西南石油大学理学院,成都,610500;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;西南石油大学理学院,成都,610500 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;四川省应用基础研究计划;国家预研基金 |
| |
| 摘 要： | ![]()
以金做催化剂,采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了整齐紧密排列的ZnO纳米线.XRD图谱上只有ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿[001]择优生长;扫描电子显微镜分析表明:ZnO纳米线整齐排列在Si(100)衬底上,直径在100nm左右,平均长度为4μm.研究发现ZnO纳米线的生长机理与传统的V-L-S机理有所不同:生长过程中,在Si(100)衬底上先生长了大约500nm厚的ZnO薄膜,而ZnO纳米线生长在薄膜之上.
|
| 关 键 词： | ZnO纳米线 ZnO薄膜 CVD V-L-S机理 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）02-0293-04 |
| 修稿时间： | 2006-08-01 |
Preparation and Growth Mechanism of Well-aligned ZnO Nanowires by Chemical Vapor Deposition |
| |
| TANG Bin,DENG Hong,SHUI Zheng-wei,CHEN Jin-ju,WEI Min. Preparation and Growth Mechanism of Well-aligned ZnO Nanowires by Chemical Vapor Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(2): 293-296 |
| |
| Authors: | TANG Bin DENG Hong SHUI Zheng-wei CHEN Jin-ju WEI Min |
| |
| Affiliation: | 1. School of Microelectronics and Solid-state Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China ; 2. School of Science, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | CVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
