| 纳米β-FeSi2/a-Si多层膜室温光致发光分析 |
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| 引用本文： | 牛华蕾,李晓娜,胡冰,董闯,姜辛.纳米β-FeSi2/a-Si多层膜室温光致发光分析[J].物理学报,2009,58(6). |
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| 作者姓名： | 牛华蕾 李晓娜 胡冰 董闯 姜辛 |
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| 作者单位： | 大连理工大学材料科学与工程学院,三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射的方法,在Si(100)基片上制备了纳米β-FeSi2/Si多层结构,利用X射线衍射、透射电子显微镜、光致发光光谱等表征技术,研究了β-FeSi2/Si多层结构的结构、成分和光致发光特性.研究结果表明:利用磁控溅射法得到的Fe/Si多层膜,室温下能够检测到β-FeSi2的1.53 μm处光致发光信号;未退火时多层膜是(非晶的FeSi2+β-FeSi2颗粒)/非晶Si结构,退火后则是β-FeSi2颗粒/(晶体Si+非晶Si)结构;退火前后样品有相同的PL信号强度,说明非晶的FeSi2+β-FeSi2颗粒和β-FeSi2颗粒可以产生同样的发光性能.实验测出1.53 μm处PL信号也进一步证明了非晶FeSi2的半导体性能.
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| 关 键 词： | β-FeSi2 磁控溅射 光致发光光谱 |
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