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| 一维半导体高聚物中的激子态和发光性质及局部晶格畸变所产生的影响——Lanczos严格对角化方法 | |
| 引用本文： | 熊烨.一维半导体高聚物中的激子态和发光性质及局部晶格畸变所产生的影响——Lanczos严格对角化方法[J].物理学报,1999(6). |
| 作者姓名： | 熊烨 |
| 作者单位： | 南京大学物理系、固体微结构国家重点实验室 |
| 摘 要： | 应用Ｌａｎｃｚｏｓ严格对角化方法在具有电子电子强关联效应的情况下，研究一维高聚物半导体中激子态的能量和波函数的特性，并以此为基础计算了在有局部晶格畸变时激子态的变化及其对发光性质的影响，并发现在一定的互作用参数下，其发光强度与畸变的强度成正比关系 |
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