| a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化 |
| |
| 引用本文： | 赵雷,周春兰,李海玲,刁宏伟,王文静.a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化[J].物理学报,2008,57(5):3212-3218. |
| |
| 作者姓名： | 赵雷 周春兰 李海玲 刁宏伟 王文静 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室，北京 100080 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863)(批准号：2006AA05Z405)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 采用AFORS-HET数值模拟软件，对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟，分析了影响背场效果的原因，得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙16 eV，硼掺杂浓度在1018cm-3以上的微晶硅材料，其最佳厚度在5nm左右. 这种背场从工艺上易于实现，并且，与常用的Al扩散背场相比，在相同的掺杂浓度下，电池效率可以大大提高.
关键词：
薄膜硅
背场
硅异质结太阳电池
|
| 关 键 词： | 薄膜硅 背场 硅异质结太阳电池 |
| 收稿时间： | 9/4/2007 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2007年9月4日 |
Optimizing polymorphous silicon back surface field of a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cells by simulation |
| |
| Zhao Lei,Zhou Chun-Lan,Li Hai-Ling,Diao Hong-Wei,Wang Wen-Jing.Optimizing polymorphous silicon back surface field of a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cells by simulation[J].Acta Physica Sinica,2008,57(5):3212-3218. |
| |
| Authors: | Zhao Lei Zhou Chun-Lan Li Hai-Ling Diao Hong-Wei Wang Wen-Jing |
| |
| Abstract: | Back surface field (BSF) effect of polymorphous silicon with different band gaps on a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cell was simulated and analyzed by utilizing AFORS-HET software. It was predicted that the polymorphous silicon capable of producing the optimal BSF effect is the microcrystalline silicon with band gap of 16 eV，the doped concentration of 1018cm-3 and the thickness about 5nm. Such microcrystalline silicon BSF is easy to realize in practice. It makes the efficiency of solar cell much higher than that using the conventional Al BSF with the same doping concentration. |
| |
| Keywords: | polymorphous silicon back surface field silicon heterojunction solar cell |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
