| 横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型 |
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| 引用本文： | 刘磊,任晓敏,周静,王琦,熊德平,黄辉,黄永清.横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型[J].物理学报,2007,56(6):3570-3576. |
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| 作者姓名： | 刘磊 任晓敏 周静 王琦 熊德平 黄辉 黄永清 |
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| 作者单位： | (1)北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室，北京 100876; (2)北京邮电大学继续教育学院，北京 100876 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);教育部跨世纪优秀人才培养计划;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程，建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型. 在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下，模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系. 通过讨论掩膜/窗口宽度的影响，说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素. 以上结论与实验结果一致.
关键词：
横向外延
生长模型
扩散
生长速率
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| 关 键 词： | 横向外延 生长模型 扩散 生长速率 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(06)/3570-07 |
| 收稿时间： | 2006-08-10 |
| 修稿时间： | 2/1/2007 12:00:00 AM |
Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth |
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| Liu Lei,Ren Xiao-Min,Zhou Jing,Wang Qi,Xiong De-Ping,Huang Hui,Huang Yong-Qing.Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth[J].Acta Physica Sinica,2007,56(6):3570-3576. |
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| Authors: | Liu Lei Ren Xiao-Min Zhou Jing Wang Qi Xiong De-Ping Huang Hui Huang Yong-Qing |
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| Institution: | 1. Key Laboratory of Optical Communication and Lightwave Technologies ( Beijing University of Posts and Telecommunications |
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| Abstract: | Theoretical expressions of the epitaxial lateral overgrowth rate in the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) have been formulated in this paper, with respect to two separate processes: vapor phase diffusion and mask surface diffusion. In the case of InP deposition on GaAs substrate, a parametric study was accomplished in order to determine the impact of the mask/window width to the growth rate. The model, which uses a new parameter .effective mask length" L_ mask , reveals that the key factors determining the growth rate are mask/window width and mask width/effective mask length. This model can be used as a tool for predict the growth conditions leading to expected growth rate. |
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| Keywords: | epitaxial lateral overgrowth growth model diffusion growth rate |
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