硒化铜/硒化锌复合物的制备及性能表征

<正>硒化物半导体具有可控的形貌和相结构，在热电、激光、光学滤波器、太阳能电池和传感器等领域有着广泛应用。1996年，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究人员首次提出并验证了过渡金属元素表面掺杂Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体作为中红外激光增益介质的可能性。经过表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料具有优异的中红外光学性能，已经投入工业生产^1]。2000年，铜掺杂硒化锌(Cu:ZnSe)半导体纳米晶体被首次报道(量子产率2%～4%)^2]。2005年，彭笑刚团队^3]将掺杂方法分为生长掺杂和成核掺杂两种，并采用生长掺杂法制备了高质量的Cu:ZnSe量子点(量子产率10%～30%)，该量子点会发出明亮的翠绿色光。然而，上述材料的合成路线对环境有害，在生物医药领域并不适用。2006年，中国科学院某实验室采用宽带隙的ZnSe修饰硒化镉(CdSe)纳米粒子，可以有效地去除CdSe表面缺陷^4]。