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单负双负磁导率和电容率介质中的Goos-H(a)nchen位移
引用本文:曾伦武.单负双负磁导率和电容率介质中的Goos-H(a)nchen位移[J].大学物理,2007,26(4):12-15.
作者姓名:曾伦武
作者单位:南京农业大学,工学院,江苏,南京,210031
基金项目:江苏省农机局科研项目 , 南京农业大学大学物理重点课程资助项目 , 南京农业大学大学物理实验重点课程资助项目
摘    要:推导了Goos-H(a)nchen位移的表达式,讨论了光线从双正介质(电容率ε>0,磁导率μ>0)或双负介质(ε<0,μ<0)中入射到双正介质、双负介质或单负介质(ε>0,μ<0或ε<0,μ>0)界面的Goos-H(a)nchen效应.

关 键 词:Goos-H(a)nchen效应  全反射  正负磁导率  正负电容率
文章编号:1000-0712(2007)04-0012-04
收稿时间:03 30 2006 12:00AM
修稿时间:11 6 2006 12:00AM

Goos-H(a)nchen shifts at the interface of double-negative or single-negative permittivity and permeability
ZENG Lun-wu.Goos-H(a)nchen shifts at the interface of double-negative or single-negative permittivity and permeability[J].College Physics,2007,26(4):12-15.
Authors:ZENG Lun-wu
Institution:College of Engineering, Nanjing Agricultural University, Nanjing 210031 ,China
Abstract:
Keywords:Goos- Hanchen effect  total reflection  negative permittivity  negative permeability
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
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