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| 氧化物稀磁半导体的研究进展 | |
| 作者姓名： | 许小红 李小丽 齐世飞 江凤仙 全志勇 范九萍 马荣荣 |
| 作者单位： | 山西师范大学化学与材料科学学院,磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室,临汾041004 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目,教育部博士点基金项目,山西省各类基金项目(2011021021-1;晋教科函[2010]20号;晋留管办发[2010]14号)的共同支持 |
| 摘 要： | 稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。 |
| 关 键 词： | 氧化物稀磁半导体 自旋注入 异质结构 |
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