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有限温度下位错环的脱体现象
作者姓名:卢果  方步青  张广财  许爱国
作者单位:(1)北京应用物理与计算数学研究所实验室,北京 100088; (2)中国工程物理研究院研究生部,北京 100088; (3)中国工程物理研究院研究生部,北京 100088;北京应用物理与计算数学研究所实验室,北京 100088; (4)中国矿业大学,北京 100083
基金项目:国家自然科学基金(批准号:10702010和10775018),中国工程物理研究院发展基金和实验室基金资助的课题.
摘    要:在FCC单晶铜中构造了滑移面为(111),伯格矢量为b=[112]/6的圆形不完全位错环.采用分子动力学方法模拟了该位错环在0—350 K温度区间内的自收缩过程.模拟结果发现:零温度下,位错不能跨越Peierls-Nabarro势垒运动,迁移速度为0;50 K温度下,螺型和刃型位错具有基本相同的迁移速度;随温度增加,刃型位错具有较大迁移速度;温度较高时,位错核宽度进一步增加;小位错环周围的局部应力,引起4个脱体位错环;脱体位错环在原位错的应力作用下逐渐生长,原位错消失后,在自相 关键词: 单晶铜 位错环 分子动力学 位错源

关 键 词:单晶铜  位错环  分子动力学  位错源
收稿时间:2009-03-11
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