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| VO_2晶体电子结构及其掺杂的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 胡永金 赵江 崔磊 滕玉永 曾祥华 |
| 作者单位： | 扬州大学物理科学与技术学院,扬州,225002 |
| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基金 |
| 摘 要： | 运用密度泛函平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对二氧化钒(VO2)两种不同晶体电子结构进行了计算.研究了低温单斜晶型和高温四方晶型结构的VO2电子态密度(DOS)和能带(energyband)结构,通过分析发现,四方晶的金属性比较明显,这是由于电子态密度和能带结构分析结果表明不同特性产生的原因是V原子的3d电子贡献不同导致的.本文中我们还将部分O原子替换为F原子后对单斜晶替位掺杂进行了的计算讨论,本文的计算结果都较好地符合实验结果,表明密度泛函平面波赝势和广义梯度近似方法可以用来描述VO2的结构和性质.我们认为,这种方法应用于描述氧化物的电子结构和性质是一种新的探索. |
| 关 键 词： | 态密度 能带结构 单斜晶 四方晶 |
| 文章编号： | 1000-0364（2007）05-1055-05 |
| 收稿时间： | 2005-12-31 |
| 修稿时间： | 2005-12-31 |
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