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| p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征 | |
| 作者姓名： | 季振国 何振杰 宋永梁 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究专项基金(批准号：G2000068306)和国家高技术研究发展计划(批准号：2003AA3A19/1)资助的课题. |
| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明,掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明,掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明,空穴浓度与热处理温度有很大的关系,525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内,空穴的浓度与In的含量有直接的关系,并随In含量的增加而增加.
关键词：
SnO2
溶胶-凝胶法
p型导电 |
| 关 键 词： | SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电 |
| 收稿时间： | 2003-07-28 |
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