| 920 nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计 |
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| 作者姓名： | 梁雪梅 吕金锴 程立文 秦莉 宁永强 王立军 |
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| 作者单位： | 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院研究生院,北京,100049;空军航空大学,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | Project supported by the National Science Foundation of China under Contract Number NSFC(60636020,60676034,60706007);;Project supported by CAS Innovation Program;;National Science Foundation of Jilin Province(20080335,20086011)~~ |
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| 摘 要： | 设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单个周期内不同阱的个数(1,2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下,器件性能的改变,特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变,从而选择一个最佳的结构。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 结构设计 有限元 垂直外腔面发射激光器 光抽运 |
| 收稿时间： | 2009-08-25 |
| 修稿时间： | 1900-01-02 |
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