| 金属有机物化学气相沉积生长的$lt;i$gt;a$lt;/i$gt;(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究 |
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| 引用本文： | 许晟瑞,张进城,李志明,周小伟,许志豪,赵广才,朱庆伟,张金凤,毛维,郝跃.金属有机物化学气相沉积生长的$lt;i$gt;a$lt;/i$gt;(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究[J].物理学报,2009,58(8):5705-5708. |
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| 作者姓名： | 许晟瑞 张进城 李志明 周小伟 许志豪 赵广才 朱庆伟 张金凤 毛维 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 （批准号： 60736033）和国家科技重大专项 （批准号： 2008ZX01002）资助的课题. |
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| 摘 要： | 用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜，通过采用AlGaN多量子阱插入层，得到了高质量的非极性GaN材料. 用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量，发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除，（1120）面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
关键词：
GaN
原子力显微镜
高分辨X射线衍射仪
非极性
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| 关 键 词： | GaN 原子力显微镜 高分辨X射线衍射仪 非极性 |
| 收稿时间： | 2008-12-04 |
The triangular pits eliminate of (1120) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition |
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| Xu Sheng-Rui,Zhang Jin-Cheng,Li Zhi-Ming,Zhou Xiao-Wei,Xu Zhi-Hao,Zhao Guang-Cai,Zhu Qing-Wei,Zhang Jin-Feng,Mao Wei and Hao Yue.The triangular pits eliminate of (1120) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition[J].Acta Physica Sinica,2009,58(8):5705-5708. |
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| Authors: | Xu Sheng-Rui Zhang Jin-Cheng Li Zhi-Ming Zhou Xiao-Wei Xu Zhi-Hao Zhao Guang-Cai Zhu Qing-Wei Zhang Jin-Feng Mao Wei and Hao Yue |
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| Abstract: | Nonpolar a-plane （1120） GaN has been grown on r-plane （1102） sapphire by metal-orgamic chemical vapor deposition. The crystal quality has been greatly improved by using the AlGaN multiple-quantum-well interlayers. The surface morphology and the crystal quality were investigated by high resolution X-ray diffraction and atomic force microscopy.The triangular pits were eliminated completely. The precession of the X-ray diffraction symmetric reflection peak full with width at half maximum of （1120） is 680″. |
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| Keywords: | GaN AFM HRXRD nonpolar |
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