| 不同的衬底温度下GdBa_2Cu_3O_7超导薄膜在(100)SrTiO_3单晶衬底上的生长 |
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| 作者姓名： | 易怀仁 王瑞兰 李静维 李宏成 王长安 石磊 赵忠贤 李林 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科技大学结构分析开放实验室，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 北京，100080国家超导实验室，北京，100080中国科技大学结构分析开放实验室，合肥，230026，北京，100080，北京，100080，北京，100080中国科技大学结构分析开放实验室，合肥，230026，北京，100080，合肥，230026，北京，100080国家超导实验室，北京，100080，北京，100080 |
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| 摘 要： | ![]()
影响 Y 系高温超导薄膜制备工艺的因素很多,其中衬底温度被认为是最关键的因素之一.本文工作利用直流磁控溅射快速原位处理的方法,在600—850℃ 的衬底温度范围内,在(100)SrTiO_3单晶衬底上制备了一系列的 GdBa_2Cu_3O_7超导薄膜样品,并对这些样品的超导电性和结构进行了分析.发现,在衬底温度低至670℃ 时,也能得到零电阻转变温度 T_(c0)>88K 的样品.
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