首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     


SIMS depth profiling using new gate techniques
Authors:J. L. Maul and H. Frenzel
Affiliation:(1) Perkin-Elmer Atomika Technische Physik GmbH, D-8042 Oberschleißheim, Federal Republic of Germany
Abstract:
Keywords:
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号