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环形高温超导薄膜微波谐振器及其品质因数Q的测定
引用本文:李静维,卢荣润.环形高温超导薄膜微波谐振器及其品质因数Q的测定[J].低温物理学报,1994,16(2):129-136.
作者姓名:李静维  卢荣润
作者单位:中国科学院物理研究所国家超导实验室,中国科学院物理研究所,航空航天部第二研究院203所
基金项目:国家自然科学基金,北京中关村联合测试中心资助
摘    要:利用直流磁控溅射方法制备在ZrO2基片上的GdBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜,我们制成了环形薄膜微波谐振器,并对它的品质因数Q值进行了测量,测量温区从80K直到150K。当输入到谐振器的功率等于1mW,并且当它处在81.2K时,谐振器在4.212GHz(最小插损点处的频率)起振;这时的有载品质因数Q值等于176,谐振点处的最小插损为-9.58dB;在谐振峰两侧比最小插损低3dB两点之间的频率差为

关 键 词:超导膜  微波谐振器  品质因数
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