| 高铜含量中孔Cu-Si二元氧化物的合成和表征 |
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| 引用本文： | 孔岩,陈嘉伊,郭宪吉,马会宣,侯文华,颜其洁.高铜含量中孔Cu-Si二元氧化物的合成和表征[J].高等学校化学学报,2004,25(2):320-324. |
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| 作者姓名： | 孔岩 陈嘉伊 郭宪吉 马会宣 侯文华 颜其洁 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学化学化工学院介观材料科学实验室, 南京 210093;
2. 山西运城学院, 运城 044000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :2 0 173 0 2 6)，南京大学现代分析中心测试基金资助 |
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| 摘 要： | 采用CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)为模板剂,Na2SiO3·10H2O为硅源,Cu(NH3)4(NO3)2为铜源,在常温下成功地合成出含铜质量分数高达26%,具有中孔结构的硅基氧化铜复合材料.较系统地研究了反应时间、温度、pH值和铜掺入量等对产物性能的影响.用XRD,HRTEM,FTIR,BET,TG-DTA,ICP和XPS等手段对合成产物的结构进行了表征.
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| 关 键 词： | 硅基氧化铜 中孔材料 合成条件 铜含量 表征 |
| 文章编号： | 0251-0790(2004)02-0320-05 |
| 收稿时间： | 2003-03-02 |
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