| GaP1-xNx混晶中新束缚态的研究 |
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| 引用本文： | 吕毅军,高玉琳,林顺勇,郑健生,张勇,MASCARENHAS A,辛火平,杜武青.GaP1-xNx混晶中新束缚态的研究[J].发光学报,2004,25(2):168-172. |
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| 作者姓名： | 吕毅军 高玉琳 林顺勇 郑健生 张勇 MASCARENHAS A 辛火平 杜武青 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;美国可再生能源实验室,美国;美国加州弗吉尼亚大学,电机工程系,美国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省自然科学基金，60276002，A0110007，， |
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| 摘 要： | 利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列CaP1-xNx混晶的光学性质。GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势。测量结果显示，在组分x≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，对其激活能的拟合及对时间衰退发光谱的分析表明，新的束缚态一方面仍保留有N束缚激子的性质，另一方面又表现出有别于NN对束缚激子的发光机制。说明新的束缚态有可能由新的N原子组成(如NNN原子)或与NN对束缚激子存在着某种相互作用。
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| 关 键 词： | 发光 Ⅲ-V族半导体 带隙弯曲 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)02-0168-05 |
| 修稿时间： | 2003年4月2日 |
Study on the New Bound States in the GaP1- xNx Alloys |
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| LU Yi-jun GAO Yu-Lin,LIN Shun-yong,ZHENG Jian-sheng,ZHANG Yong,MASCARENHAS A,XIN H P,TU C W.Study on the New Bound States in the GaP1- xNx Alloys[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(2):168-172. |
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| Authors: | LU Yi-jun GAO Yu-Lin LIN Shun-yong ZHENG Jian-sheng ZHANG Yong MASCARENHAS A XIN H P TU C W |
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| Institution: | LU Yi-jun GAO Yu-Lin,LIN Shun-yong,ZHENG Jian-sheng,ZHANG Yong,MASCARENHAS A~2,XIN H P~3,TU C W~3 Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China National Renewable Energy Laboratory,USA Department of Electrical and Computee Engineering,University of California,USA |
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