| MWECR CVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究 |
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| 引用本文： | 宋雪梅,宋道颖,陈蔚忠,芦奇力,冯贞健,鲍旭红,邓金祥,陈光华.MWECR CVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究[J].人工晶体学报,2002,31(3):321-324. |
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| 作者姓名： | 宋雪梅 宋道颖 陈蔚忠 芦奇力 冯贞健 鲍旭红 邓金祥 陈光华 |
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| 作者单位： | 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家973资助项目(G000028201-1) |
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| 摘 要： | 应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
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| 关 键 词： | MWECRCVD α-Si:H薄膜 IR分析 高斯函数拟合 |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)03-0321-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月12 |
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