| 退火对Ga_2O_3薄膜特性的影响 |
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| 作者姓名： | 马征征 董鑫 庄仕伟 许恒 胡大强 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,吉林省科技攻关计划(20170204045GX)资助项目 Supported by National Natural Science Foundation of China,Science and Techaology Project of Jilin Province |
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| 摘 要： | 采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga_2O_3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga_2O_3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射谱和原子力显微镜扫描的研究。结果表明,各类退火工艺均能够优化薄膜的晶体质量和表面形貌,同时有效改善了薄膜的光学性质。其中,氧气退火后的样品在可见光波段透射率高达83%,且吸收边更加陡峭;表面粗糙度降至0.564 nm,其表面更为平整。这些结果说明氧气退火对晶体质量的提高最为显著。氮气、真空退火的样品在光致发光谱中出现365 nm的发光峰,这是大量氧空位的存在导致的。
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| 关 键 词： | 氧化镓 退火 蓝宝石衬底 金属有机物化学气相沉积法 |
| 收稿时间： | 2016-12-21 |
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