| 低阈值852 nm半导体激光器的温度特性 |
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| 作者姓名： | 廖翌如 关宝璐 李建军 刘储 米国鑫 徐晨 |
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| 作者单位： | 1.北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室 北京,100124 |
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| 基金项目： | 半导体激光器产业化技术基金,国家自然科学基金,北京市自然科学基金,北京市教育委员会基础技术研究基金(KM201210005004)资助项目 Supported by Semiconductor Laser Industrialization Technology Fund,National Natural Science Foundation of China,National Natural Science Foundation of Beijing city,Foundation Technology Research Fund of Beijing Municipal Education Commission |
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| 摘 要： | 通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）和半导体后工艺技术制备了852nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5mA,输出的光谱线宽小于1nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328K时,阈值电流的变化速率为0.447mA/K,特征温度T0为142.25K,输出的光功率变化率为0.63mW/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7K/W,中心波长漂移速率是0.24929nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态。器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行。
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| 关 键 词： | 852 nm半导体激光器 温度特性 阈值电流 特征温度 |
| 收稿时间： | 2016-09-13 |
| 修稿时间： | 2016-10-21 |
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