| γ射线电离辐射对商用CMOS APS性能参数的影响 |
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| 引用本文： | 徐守龙,邹树梁,黄有骏.γ射线电离辐射对商用CMOS APS性能参数的影响[J].发光学报,2017,38(3):308-315. |
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| 作者姓名： | 徐守龙 邹树梁 黄有骏 |
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| 作者单位： | 1. 南华大学 核设施应急安全作业技术与装备湖南省重点实验室, 湖南 衡阳 421001;
2. 南华大学 核科学技术学院, 湖南 衡阳 421001;
3. 中国核动力研究设计院, 四川 成都 610213 |
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| 基金项目： | 湖南省科技重大专项，湖南省研究生科研创新项目(2015SCX02)资助 Supported by Major Scientific and Technological Special Project of Hunan Province，Graduate Student Research Innovation Project of Hunan Province |
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| 摘 要： | 研究了γ射线电离辐射效应对商用CMOS有源像素传感器(APS)性能参数的影响,着重分析了量子效率、转换增益、暗电流、坏点和脉冲颗粒噪声等参数。研究结果表明:当受到1 000 Gy辐射后,APS失去工作能力,无信号输出或像素灰度值仅为0,110,255 DN。60Coγ射线的离位截面约为10-25cm2(0.1 b)。当剂量率低于58.3 Gy/h且辐照时间较短时,辐射对量子效率及转换增益无影响,坏点产生数为0,总剂量效应使3T-APS的本底噪声升高到4.62 DN但对4T PPD APS几乎无影响。脉冲颗粒噪声引起的各灰度值像素数量分布呈泊松分布,并与剂量率正相关。
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| 关 键 词： | CMOS APS γ射线 总剂量效应 电离效应 |
| 收稿时间： | 2016-08-22 |
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