| 邻苯三酚红修饰碳糊电极吸附伏安法测定痕量铋 |
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| 引用本文： | 郭会时,李益恒. 邻苯三酚红修饰碳糊电极吸附伏安法测定痕量铋[J]. 分析化学, 2000, 28(12): 1527-1530 |
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| 作者姓名： | 郭会时 李益恒 |
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| 作者单位： | 韶关大学化学系,韶关,512005;湘潭大学化学系,湘潭,411105 |
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| 基金项目： | 湖南省教委科学基金资助项目。 |
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| 摘 要： | 报道了采用邻苯三酚红修饰碳糊电极测定痕量铋的方法。在０．３０ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣｌ溶液中,于－０．１０Ｖ搅拌富集３ｍｉｎ,然后在－０．３５Ｖ静止还原６０ｓ,再进行阳极化扫描,在－０．１０Ｖ左右获得灵敏的铋溶出峰,二次导数民流与铋浓度在１．０＊１０＾－９－６．０＊１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,同限为５＊１０＾－１０ｍｏｌ／Ｌ。对电极反应机理进行了讨论。
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| 关 键 词： | 铋 邻苯三酚红 碳糊修饰电极 吸附伏安法 |
Determination of Trace Bismuth by Adsorptive Stripping Voltammetry with Pyrogallol Red Modified Carbon Paste Electrode |
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| Guo Huishi,Li Yiheng. Determination of Trace Bismuth by Adsorptive Stripping Voltammetry with Pyrogallol Red Modified Carbon Paste Electrode[J]. Chinese Journal of Analytical Chemistry, 2000, 28(12): 1527-1530 |
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| Authors: | Guo Huishi Li Yiheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bismuth pyrogallol red modified carbon paste electrode adsorptive stripping voltammetry0 |
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