| Ti掺杂6H-SiC电学性质研究 |
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| 引用本文： | 杨,昆,杨祥龙,陈秀芳,崔潆心,彭,燕,胡小波,徐现刚.Ti掺杂6H-SiC电学性质研究[J].人工晶体学报,2014,43(4):733-737. |
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| 作者姓名： | 杨 昆 杨祥龙 陈秀芳 崔潆心 彭 燕 胡小波 徐现刚 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401);国家自然科学基金(51323002);山东大学自主创新基金(2012ZD047);国家科技重大专项(2012ZX01006) |
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| 摘 要： | 使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理.使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征.结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010～1011Ω·cm.初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位Vc是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因.
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| 关 键 词： | 物理气相传输 Ti掺杂 6H-SiC 电阻率 |
Study on Electrical Properties of Ti Doped 6H-SiC |
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| YANG Kun,YANG Xiang-long,CHEN Xiu-fang,CUI Ying-xin,PENG Yan,HU Xiao-bo,XU Xian-gang.Study on Electrical Properties of Ti Doped 6H-SiC[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(4):733-737. |
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| Authors: | YANG Kun YANG Xiang-long CHEN Xiu-fang CUI Ying-xin PENG Yan HU Xiao-bo XU Xian-gang |
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