巯基硅烷纳米薄膜修饰金电极测定痕量汞(Ⅱ)

采用3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTS)为单一硅源合成有机硅纳米材料,将其组装到金电极表面,制备MPTS薄膜修饰电极。采用原子力显微镜和透射电镜表征有机硅纳米,粒径为3.3~5.7nm;采用方波溶出伏安法测定该修饰电极对汞的响应信号。结果表明,该修饰电极对痕量汞有高灵敏响应。在0.1mol/L HCl中,于-0.4V电位下富集10min,溶出峰电流与其浓度在1.5×10-12~75.0×10-12 mol/L范围内呈线性关系,相关系数为0.9980,检出限为5.0×10-13 mol/L。该方法用于实际水样中汞的测定,与原子荧光光谱法进行比较,结果基本一致。