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玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能
引用本文:王引书,孙萍,丁硕,罗旭辉,李娜,王若桢.玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能[J].物理学报,2002,51(12):2892-2895.
作者姓名:王引书  孙萍  丁硕  罗旭辉  李娜  王若桢
作者单位:北京师范大学物理系,北京100875
基金项目:国家自然科学基金 (批准号 :2 9890 2 17);;北京师范大学青年基金 (批准号 :10 110 197)资助的课题
摘    要:对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利 关键词: 纳米晶体 生长机理 深能级缺陷

关 键 词:纳米晶体  生长机理  深能级缺陷
文章编号:1000-3290/2002/51(12)2892-04
修稿时间:2001年9月6日

The growth and characteristics of CdSeS nanocrystals in glass
Wang Yin-Shu,Sun Ping,Ding Shuo,Luo Xu-Hui,Li Na and Wang Ruo-Zhen.The growth and characteristics of CdSeS nanocrystals in glass[J].Acta Physica Sinica,2002,51(12):2892-2895.
Authors:Wang Yin-Shu  Sun Ping  Ding Shuo  Luo Xu-Hui  Li Na and Wang Ruo-Zhen
Abstract:
Keywords
Keywords:nanocrystals  growth mechanism  deep level defects
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