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| 高压液封直拉法生长GaP单晶 | |
| 引用本文： | 邓志杰,俞斌才,刘锡田.高压液封直拉法生长GaP单晶[J].发光学报,1980,1(5):8. |
| 作者姓名： | 邓志杰 俞斌才 刘锡田 |
| 作者单位： | 冶金部有色金属研究院 |
| 摘 要： | 利用国产ZFL 018型高压单晶炉和液封直拉(LEC)法生长了掺碲(硫)GaP单晶,其常温电学参数为;nTe,s～(2～15)×1017cm-3;μn～(86～134)cm2/sv;位错密度(1～4)×104cm-2。 |
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