| 晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究 |
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| 作者姓名： | 王平亚 张金风 薛军帅 周勇波 张进成 郝跃 |
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| 作者单位： | 宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(批准号: 2008ZX01002-002)、国家自然科学基金(批准号: 60890191)、国家自然科学基金重点项目(批准号: 60736033)和高等学校博士学科点新教师基金项目(批准号: 200807011012)资助的课题. |
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| 摘 要： | 文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质. 样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征. 综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射、极性光学声子散射、位错散射、合金无序散射和界面粗糙度散射,理论分析了温度对迁移率的影响,发现室温下两种材料中2DEG支配性的散射机理都是极性光学波散射和界面粗糙度散射;AlN插入层对InAlN/GaN材料迁移率的改善作用一方面是免除2DEG的合金无序散射,另外还显著改善异质界面,抑制了界面粗糙度散射. 考虑到2DEG密度也是影响其迁移率的重要因素,结合实验数据给出了晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料的2DEG迁移率随电子密度变化的理论上限.
关键词：
InAlN/GaN
二维电子气
迁移率
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| 关 键 词： | InAlN/GaN 二维电子气 迁移率 |
| 收稿时间： | 2011-01-16 |
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