| 准一维纳米线电子输运的梯度无序效应 |
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| 作者姓名： | 段玲 胡飞 丁建文 |
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| 作者单位： | 1. 湘潭大学物理系,纳米物理与稀土发光研究所,湘潭 411105;
2. 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭 411105 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10674113,11074212)和全国优秀博士学位论文作者专项基金(批准号:200726)资助的课题. |
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| 摘 要： | 考虑实际体系的梯度无序和结散射,发展格林函数矩阵分解消元方法,研究了准一维纳米线的电子输运性质. 结果表明,由于结散射,电导随能量呈现振荡行为,无序的引入破坏了电子相干性,在低无序度区平均电导呈现异常增加,呈现一个新的电导峰. 当表面存在无序但无梯度衰减时,体系的平均电导随无序度增强先减后增,出现类局域-退局域性转变. 当表面无序线性衰减时,平均电导在强无序区稍有增加,而当表面无序高斯型衰减时,平均电导指数衰减,类局域-退局域性转变消失,不同于以前的理论预言. 研究结果对准一维纳米线电子器件的结构设计和应用有指导作用.
关键词：
准一维纳米线
梯度无序
电子输运
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| 关 键 词： | 准一维纳米线 梯度无序 电子输运 |
| 收稿时间： | 2010-11-19 |
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