有机固体中载流子陷阱的表征 |
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引用本文: | 钱人元,金祥凤.有机固体中载流子陷阱的表征[J].物理,1988(6). |
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作者姓名: | 钱人元 金祥凤 |
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作者单位: | 中国科学院化学研究所
(钱人元),中国科学院化学研究所(金祥凤) |
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基金项目: | 国家自然科学基金委员会资助课题。 |
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摘 要: | 有机固体包括有机分子晶体、非晶态有机固体、有机高聚物等.在有机固体中保持单个分子的特性,如吸收光谱;分子间的范德瓦耳斯相互作用能比较小,即使是单晶体,也容易产生结构欠序和杂质、晶界等缺陷.这些缺陷使电子价带与导带间的禁区中出现局域能级,导带的载流子(电子)或价带的载流子(空穴)会被局域于这些杂质或缺陷的附近,出现电荷存储现象,影响稳态和瞬态电导下的载流子输运,导致暗导的非欧姆性、载流子迁移率的下降、光导衰减时间大于光激发载流子的寿命等.多年来,这些一直被固体的电导和光导研究者所重视1-6],并称这些局域能级为陷阱.…
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