| nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性 |
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| 引用本文： | 马蕾,蒋冰,陈乙豪,沈波,彭英才.nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性[J].物理学报,2014(13):335-341. |
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| 作者姓名： | 马蕾 蒋冰 陈乙豪 沈波 彭英才 |
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| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院;北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61306098);河北省自然科学基金(批准号:E2012201088,F2013201196);河北省高等学校科学技术研究项目(批准号:2011237,ZH2012019);北京大学介观物理国家重点实验室开放性课题资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显微镜照片显示出α-Si:H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC:H层所限制,而与α-Si:H层的厚度相当,晶粒的择优取向是?111?晶向.傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC:H层中有更多的Si-C形成.对nc-Si:H/α-SiC:H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si:H层支配,随着Si晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低.而当nc-Si:H层厚度不变时,α-SiC:H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变.
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| 关 键 词： | α-Si H/α-SiC H多层膜 光吸收边蓝移 量子限制效应 |
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