| 蓝紫色ZnO-Al2O3-SiO2长余辉陶瓷 |
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| 引用本文： | 王静,李成宇,苏锵,王淑彬.蓝紫色ZnO-Al2O3-SiO2长余辉陶瓷[J].中国稀土学报,2002,20(6):616-619. |
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| 作者姓名： | 王静 李成宇 苏锵 王淑彬 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,吉林,长春,130022
2. 中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,吉林,长春,130022;光电子材料与技术国家重点实验室,中山大学化学与化工学院,广东,广州,510275 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究规划(G1998061312) |
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| 摘 要： | 通过高温固相法首次合成并报道了兰紫色ZnO-Al2O3-SiO2长余辉陶瓷，系统地研究了其发光和缺陷性质，在强度0.6mW.cm^-2，主峰254nm的UVP紫外灯下激发15min，然后关闭激发源，样品发射兰紫色长余辉，撤去激发源以后5s，余辉初始强度为230mcd.m^-1，色坐标为（0．1292，0．0984），暗视场中，8h以后余辉仍然肉眼可辨，样品的紫外可见发射和不同时间的余辉发射光谱显示，荧光发射位于390nm，来源于基质的自致发光，而余辉有两个发射峰，主峰位于390nm，肩峰位于520nm，这表明样品中存在两种余辉发射中心，由余辉衰减曲线可以看出，这两种余辉发光都由一个快过程和一个慢过程组成，其中，慢过程决定了材料的长余辉时间，从时间依赖的余辉强度倒数曲线可以看出，余辉强度与时间成反比，这表明余辉发光的机理为电子空穴复合过程，热释光谱显示，样品分别在92和250℃附近出现两个宽的热释峰，说明材料中至少存在两种具有不同陷阱深度的电子或空穴缺陷中心。
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| 关 键 词： | ZnO－Al2O3－SiO2 长余辉陶瓷 稀土 热释光 陷阱 氧化锌 氧化铝 二氧化硅 发光 缺陷 |
| 文章编号： | 1000-4343(2002)06-0616-04 |
| 修稿时间： | 2002年10月27 |
Blue Long-Lasting Phosphorescence Ceramic Based on ZnO-Al2O3-SiO2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | rare earths long lasting phosphorescence thermoluminescence trapping center tinc aluminosilicate ceramic |
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