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| a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格的掺杂效应 | |
| 引用本文： | 王树林,程如光.a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格的掺杂效应[J].物理学报,1988(7). |
| 作者姓名： | 王树林 程如光 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 (王树林)，中国科学院上海硅酸盐研究所(程如光) |
| 摘 要： | 采用带有可转动掩板的沉积系统,合成出一类新的a-Si:H/掺杂a-SiN_x:H超晶格。样品中各子层厚度及a-SiN_x:H子层中N/Si比固定,仅改变掺杂浓度。结果发现:此类超晶格中的费密能级可以通过a-SiN_x:H层中的掺杂来控制,即a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格可以从n型转变为p型,依赖于a-SiN_x:H子层中B的掺杂比。然而,a-SiN_x:H子层中P的掺杂对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格传输特性影响并不大。 |
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