| 不同化学镀液中p—Si上激光诱导局部沉积铜 |
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| 引用本文： | 姜贵凤 郁祖湛. 不同化学镀液中p—Si上激光诱导局部沉积铜[J]. 应用化学, 1996, 13(2): 18-21 |
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| 作者姓名： | 姜贵凤 郁祖湛 |
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| 摘 要： | ![]()
在化学镀铜溶液中，ｐ－Ｓｉ片在波长为５１４．５ｎｍ的激光束的照射下，得到了选择性的铜镀层。采用ＡＥＳ、ＳＥＭ、ＲＢＳ和电学技术对比了在３种含不同还原剂的镀液中得到的镀层的形貌、组成、界面扩散及电学性质，探讨了液相激光诱导化学沉积铜的机理。
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| 关 键 词： | 化学镀铜 激光诱导沉积 化学沉积 铜 镀铜 |
| 收稿时间： | 1995-06-28 |
Laser-Induced Selective Deposition of Copper on p-Silicon Wafers |
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| Jiang Guifeng,Yu Zuzhan. Laser-Induced Selective Deposition of Copper on p-Silicon Wafers[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1996, 13(2): 18-21 |
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| Authors: | Jiang Guifeng Yu Zuzhan |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | electroless plating laser-induced deposition |
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