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| 镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 梁伟华 丁学成 褚立志 邓泽超 郭建新 吴转花 王英龙 |
| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10774036),河北省自然科学基金(批准号:E2008000631),河北省光电材料重点实验室和河北大学自然科学基金资助的课题. |
| 摘 要： | 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对镍掺杂硅纳米线的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Ni容易占据硅纳米线表面的替代位置.镍掺杂后的硅纳米线引入了杂质能级,杂质能级主要来源于Ni的3d电子的贡献.由于Ni的3d态和Si的3p态的耦合作用,使禁带宽度变窄.掺杂后的硅纳米线在低能区出现了一个较强的吸收峰,且吸收带出现宽化现象.
关键词：
硅纳米线
掺杂
电子结构
光学性质 |
| 关 键 词： | 硅纳米线 掺杂 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2010-01-06 |
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