高纯银中杂质的发射光谱分析——试样中伴随化合物影响的研究 |
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引用本文: | 杨西平.高纯银中杂质的发射光谱分析——试样中伴随化合物影响的研究[J].分析试验室,1985(4). |
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作者姓名: | 杨西平 |
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作者单位: | 北京有色金属研究总院 |
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摘 要: | 高纯银中微量杂质的发射光谱测定,一般采用两种方法。一种是将金属试样作成自电极,直接进行发射光谱分析;一种是将金属试样处理为硝酸银或氯化银,然后用发射光谱测定其中杂质。本文采用硝酸银粉末直流电弧法测定纯银中微量杂质,在选定分析条件的同时,着重研究了在工作中发现的、用这种方法时试样中伴随化合物产生的影响。本文提出的消除这种干扰的方法,不仅提高了分析准确度,而且改善了很多测定元素的测定下限,一般改善半个至一个数量级。方法可同时测定高纯银中14个杂质元素,测定下限在0.3—10ppm之间。方法准确,变异系数最大不超过20%。
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