磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质 |
| |
引用本文: | 潘教青,崔得良,黄柏标,周海龙,蒋民华.磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质[J].中国科学A辑,2001,31(9):823-827. |
| |
作者姓名: | 潘教青 崔得良 黄柏标 周海龙 蒋民华 |
| |
作者单位: | (1)山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100 ,中国 |
| |
基金项目: | 教育部骨干教师基金资助项目(批准号: Y66040) |
| |
摘 要: | 在低温(80~100℃)常压下用Na3P分别和GaCl3,InCl3反应制备了GaP,InP纳米材料,对材料的物相结构和微观形貌进行了表征. 研究了GaP纳米晶体在氮气中的表面反应活性,该纳米晶体的重量在370~480℃之间会增加,可以认为氮气分子被吸附在了GaP纳米晶体的表面并发生了活化反应.
|
关 键 词: | 磷化铟 纳米材料 表面反应活性 磷化镓 |
收稿时间: | 2001-03-21 |
修稿时间: | 2001年3月21日 |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学A辑》下载免费的PDF全文 |
|