| 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究 |
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| 作者姓名： | 田伟男 熊聪 王鑫 刘素平 马骁宇 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心, 北京 100083;2.中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划（2017YFB0405303）资助项目() |
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| 摘 要： | 在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9nm厚的GaInP量子阱和两个350nm厚的AlGaInP量子垒构成,利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜。在950℃的情况下进行不同时长不同GaAs层厚度的高温快速热退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火时间达到120s时,样品获得53.4nm的最大波长蓝移;在1min退火时间下获得18nm的最小光谱半峰全宽。
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| 关 键 词： | 蓝移 无杂质空位扩散 量子阱混杂 扩散 |
| 收稿时间： | 2017-12-11 |
| 修稿时间： | 2018-02-18 |
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