| Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响 |
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| 作者姓名： | 张仕凯 张宝林 史志锋 王辉 夏晓川 伍斌 蔡旭浦 高榕 董鑫 杜国同 |
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| 作者单位： | 1.集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012;2.集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60976010,61006006);国家“973”计划(2011CB302005)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO (ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得.通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响.利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析.测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显.其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω·cm,载流子浓度为1.07×1020 cm-3,可见光区平均透过率为75.3％.
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| 关 键 词： | MOCVD ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜 射频磁控溅射 退火温度 |
| 收稿时间： | 2012-05-22 |
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