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ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响
作者姓名:王万晶  李喜峰  石继峰  张建华
作者单位:1.上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 上海,200072;2.上海大学 机电工程与自动化学院 上海,中国,200072
基金项目:国家自然科学基金(0 51072111;50675130);973(2011CB013100)资助项目
摘    要:采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO(ITO/GZO)透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80%以上,退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率(1.15×10-3Ω·cm)。ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度,有利于改善LED外量子效率,降低GZO/p-GaN界面的接触势垒,提高LED器件的光电性能。通过ITO界面调控后,LED器件20mA驱动电流下的工作电压从9.5V降低为6.8V,发光强度从245mcd升到297mcd,提高了20%;驱动电流为35mA时,其发光强度从340.5mcd升到511mcd,提高了50%。

关 键 词:LED  ITO/GZO薄膜  界面调控层
收稿时间:2011-11-10
修稿时间:2011-12-01
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