| Si100P2.5（GaP）1.5中随机孔洞对热电性能的影响 |
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| 作者姓名： | 何琴玉 罗海津 王银珍 李炜 苏佳槟 雷正大 陈振瑞 张勇 |
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| 作者单位： | 华南师范大学物理与电信工程学院,先进材料实验室,电子信息材料和器件研究所,量子信息技术实验室 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金(批准号:8151063101000001);广东省市科技攻关项目(批准号:2009J1-C471);广东省科技攻关项目(批准号:2010B010800028);国家自然科学基金(批准号:51172078)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 纯硅由于原材料来源广、熔点高,是潜在的太阳能热发电用热电材料.它的热电绩效因子ZT很小,室温只有0.01.本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si100P2.5（GaP）1.5,获得813℃时的ZT为0.47.本文在此基础上,通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si100P2.5（GaP）1.5的ZT.结果表明:由于孔洞增加了对低能载流子的过滤,Seebeck系数得到了提高;又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射,晶格热导率大大降低,结果Si100P2.5（GaP）1.5的ZT提高了32%.研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径.
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| 关 键 词： | 热电性能 随机孔洞 Si100P2.5（GaP）1.5 |
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