| GaN(0001)表面电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 作者姓名： | 杜玉杰 常本康 张俊举 李飙 王晓晖 |
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| 作者单位： | 滨州学院物理与电子科学系, 滨州 256603;南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094;南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094;南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094;南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094;南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 60871012, 61171042)、 山东省自然科学基金(批准号：ZR2010FL018)、山东省科学技术发展计划(批准号: 2010GWZ20101) 和山东省高校科研发展计划(批准号：J10LG74)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了(2×2)GaN(0001)清洁表面的能带结构、态密度、表面能、功函数和光学性质.发现弛豫后GaN(0001)表面的能带结构发生较大变化,表面呈现金属导电特性,导带底附近存在明显的表面态,在偶极矩的作用下表面电荷发生转移,Ga端面为正极性表面;计算获得了GaN(0001)表面的表面能和功函数分别为2.1J.m-2和4.2eV;比较分析了GaN(0001)表面和体相GaN的光学性质,发现两者存在较大差异.
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| 关 键 词： | GaN(0001)表面 电子结构 光学性质 功函数 |
| 收稿时间： | 2011-05-05 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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