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| 高k介质在新型半导体器件中的应用 | |
| 作者姓名： | 黄力 黄安平 郑晓虎 肖志松 王玫 |
| 作者单位： | 1. 北京航空航天大学电子信息工程学院,北京,100191 2. 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院,北京,100191 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 51172009, 51172013和11074020) 和教育部新世纪优秀人才计划(NCET-08-0029)资助的课题. |
| 摘 要： | 当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下, SiO2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要, 用高 k材料替代SiO2是必然选择. 然而, 由于高 k材料自身存在局限性, 且与器件其他部分的兼容性差, 产生了很多新的问题如界面特性差、 阈值电压增大、 迁移率降低等. 本文简要回顾了高 k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、 结构和工艺等方面采取的解决措施, 重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用, 并展望了未来的发展趋势. |
| 关 键 词： | 高k材料 FinFET 石墨烯器件 忆阻器 |
| 收稿时间： | 2011-10-19 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |