密度泛函理论研究Nin,Nin±(n=1-5)团簇的结构和电子性质 |
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作者姓名: | 张蓓 刘东东 陈楚 张军 |
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作者单位: | 新疆大学物理科学与技术学院,新疆大学物理科学与技术学院,新疆大学物理科学与技术学院,新疆大学物理科学与技术学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(11265015),高校科研计划项目(050161) |
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摘 要: | 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统研究了中性及带电Ni小团簇的基态几何结构和电子结构特性。对中性Nin(n=1-5)团簇,除去一个电子对基态几何结构所引起的变化相比增加一个电子所引起的影响要更加明显。n=4时,Ni+4,Ni4以及Ni4-较之相邻个体具有较大的能隙,但在所讨论的尺寸范围内,没有找到幻数结构。随着原子数的递增,Nin+,Nin,Nin-(n=1-5)团簇体系的磁矩总体呈上升趋势,值得关注的是:添加一个电子能够显著增强中性体系的磁性。 讨论了与实验结论符合较好的绝热电子亲和能(AEAs)以及绝热离化势(AIPs)。
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关 键 词: | Ni 团簇;密度泛函理论;电子结构 |
收稿时间: | 2012-08-25 |
修稿时间: | 2012-09-20 |
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