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添加元素Ti、In对Nb管富Sn法Nb_3Sn生长特性和超导性能的影响
作者姓名:何牧  黄春富  胡善荣  陈沛然  胡永祥  朱萍  李传义  袁彩文  崔长庚  刘先明
作者单位:中国科学院上海冶金研究所,中南矿冶学院材料科学与工程系,中国科学院上海冶金研究所,上海测试技术研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,北京大学物理系,北京大学物理系,中国科学院物理研究所,中国科技大学物理系 金属物理专业1983年毕业实习生,1983年毕业实习生,北京,1984年毕业实习生
摘    要:采用Nb管和高Sn含量的Cu-Sn,Cu-Sn-Ti,Cu-Sn-In合金之间的内扩散法制备了Nb_3Sn多芯超导复合线,研究了Nb_3Sn反应扩散热处理条件和添加元素Ti、In对Nb_3Sn反应层生长动力学、组织结构和超导性能的影响。结果表明:母材中添加适量的第三元素Ti或In均提高Nb_3Sn反应层生长速率,与In相比,Ti的效果更为显著.添Ti样品的T_c值在母材添Ti量为0.4w/o处出现峰值,比末添Ti样品的T_c值升高0.3K.添Ti样品的H_(c2)(o)值随母材添Ti量增加单调提高,当母材添Ti量为0.76w/o时,其H_(c2)(o)值由未添Ti样品的21T提高到大约29T.在4.2K和15T脉冲背景磁场(脉冲上升时间t_m=10ms)下,添Ti和添In样品的J_c(non Cu)值分别可达6×10~4Acm~(-2)和2.5×10~4Acm~(-2).

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